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三星已开始生产100层V-NAND闪存

中国经济新闻网 2019-08-06 15:36:07

  三星电子刚刚宣布,其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存,并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称,基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD,已开始向全球PC制造商供货。鉴于100层V-NAND闪存单元只需经过单次蚀刻,新产?#25151;?#20860;顾速度、产量和能源效率,在市场上占据领先优势。

  外媒ZDNet报道称,三星已经向某个未透露名?#39057;?#23458;户供应250GBSATAPCSSD。

  该公司将在今年下半年提升产能,并使用512Gb3-bitV-NAND闪存来生产SSD和eUFS产品,以满足各种规格的新需求。

  三星表示,其100层或第6代V-NAND闪存的写入延迟低至450μs、读取响应时间为45μs。

  与90层V-NAND闪存相比,100层V-NAND闪存不仅性能提升10%,功耗还降低了15%。此外新工?#21344;?#23569;了生产步骤、缩减了芯片尺寸、并提升了20%的产量。

  展望未来,三星计划在移动和汽车领域部署全新的V-NAND闪存,以巩固其在闪存市场的领导地位。

  此前,这家韩国科技巨头曾警告,在2季度财报发布前,该公司业绩表现仍存在着?#20013;?#30340;不确定性,其中就包括日韩之间贸易摩?#20102;?#24102;来的紧张局势。

  ?#23616;?#26089;些时候,日本将韩国从其贸易伙伴白名单中剔除,并于上?#38706;?#29992;于半导体生产的关键材料实施贸易限制。

  尽管同在韩国的SK海力士,其领导层曾下令企业制定应急方案。但三星似乎并没有那么慌张,而是决定继续在今年下半年进一步投资生产。

  最后,鉴于内存业务利润和需求的大幅下滑,预计该公司二季度运营利润会?#20808;?#24180;同期削减一半。

来源:环球网 编辑: 蒋帅       
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